IRF830STRR

Tillverkare Produktnummer:

IRF830STRR

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRF830STRR-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

Förfrågan Online

12859029

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRF830STRR Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

500 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4.5A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

1.5Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

610 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-263 (D2PAK)

Paket / Fodral

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grundläggande produktnummer

IRF830

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

800

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

IRF520

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

2SK3899(01)-ZK-E1-AY

TRANSISTOR

onsemi

NVMFS5C460NT1G

MOSFET N-CH 40V 19A/71A 5DFN

onsemi

NVMFS5C612NLT3G

MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN