IRF820PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRF820PBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRF820PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

1744 Pcs Ny Original I Lager
12909087
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF820PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRF820

Datablad och dokument

Datasheets
IRF820PBF
HTML-Datasheet
IRF820PBF-DG
Datablad
IRF820PBF Packaging Information

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRF820PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFR020TRPBF

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

vishay-siliconix

IRFP27N60KPBF

MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3

littelfuse

IXFT70N15

MOSFET N-CH 150V 70A TO268

vishay-siliconix

IRF644N

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB