IRF730AL
Tillverkare Produktnummer:

IRF730AL

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRF730AL-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventarier:

Förfrågan Online
12911744
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF730AL Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
400 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
74W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRF730

Datablad och dokument

Datablad
IRF730AS,AL, SiHF730AS,AL
Datasheets
IRF730AL
HTML-Datasheet
IRF730AL-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRF730AL

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXFP12N50P

MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

vishay-siliconix

IRFU1N60APBF

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA

vishay-siliconix

SI7230DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

IRFB9N60APBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB