Tillverkare Produktnummer:
IRF640STRLPBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRF640STRLPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
1572 Pcs Ny Original I Lager
12851753
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF640STRLPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IRF640
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
IRF640STRLPBFDKR
IRF640STRLPBFTR
IRF640STRLPBF-DG
IRF640STRLPBFCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF2804STRL7PP
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
RHK005N03FRAT146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
FDMS9409L-F085
MOSFET N-CH 40V 65A 8PQFN
