IRF640SPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRF640SPBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRF640SPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

309 Pcs Ny Original I Lager
12881336
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF640SPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IRF640

Datablad och dokument

Datablad
IRF640S(L)/SIHF640S(L)
Datasheets
IRF640SPBF
HTML-Datasheet
IRF640SPBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFI634G

MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3

stmicroelectronics

STL75N3LLZH5

MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A TO220

nexperia

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223