Tillverkare Produktnummer:
IRF630STRLPBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRF630STRLPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
1593 Pcs Ny Original I Lager
12881709
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF630STRLPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 74W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IRF630
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
IRF630STRLPBFCT
IRF630STRLPBF-DG
IRF630STRLPBFTR
IRF630STRLPBFDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STW72N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 66A TO247
IRFP450A
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
STB11NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
