IRF624STRR

Tillverkare Produktnummer:

IRF624STRR

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRF624STRR-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

Förfrågan Online

12867583

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRF624STRR Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

250 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4.4A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

1.1Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

260 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-263 (D2PAK)

Paket / Fodral

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grundläggande produktnummer

IRF624

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

800

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

IRFI620

MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3

vishay-siliconix

IRF740

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

vishay-siliconix

IRF644NLPBF

MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK

vishay-siliconix

IRFR024PBF

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK