Tillverkare Produktnummer:
2N7002K-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
2N7002K-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventarier:
903443 Pcs Ny Original I Lager
12910024
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2N7002K-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
30 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
2N7002
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
2N7002K-T1-GE3CT
2N7002K-T1-GE3DKR
2N7002K-T1-GE3TR
2N7002KT1GE3
2N7002K-T1-GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
IRLZ44STRR
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFIB8N50K
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
