2N7002E-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

2N7002E-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

2N7002E-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236

Inventarier:

16106 Pcs Ny Original I Lager
12872999
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

2N7002E-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
240mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21 pF @ 5 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-236
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
2N7002

Datablad och dokument

Datablad
2N7002E Datasheet
Datasheets
2N7002E-T1-GE3
HTML-Datasheet
2N7002E-T1-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
2N7002E-T1-GE3TR
2N7002E-T1-GE3-DG
2N7002E-T1-GE3CT
2N7002E-T1-GE3DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STF10LN80K5

MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP

stmicroelectronics

STL220N6F7

MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT

stmicroelectronics

STI270N4F3

MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK

microchip-technology

VN0606L-G

MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3