2N7002-T1-E3
Tillverkare Produktnummer:

2N7002-T1-E3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

2N7002-T1-E3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236

Inventarier:

5188 Pcs Ny Original I Lager
12905649
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

2N7002-T1-E3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
115mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-236
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
2N7002

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
2N7002-T1-E3TR
2N7002-T1-E3DKR
2N7002-T1-E3-DG
2N7002-T1-E3CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

diodes

ZVN2110GTA

MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223

vishay-siliconix

IRFR110TRPBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

littelfuse

IXFR27N80Q

MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247