UJ3C120150K3S
Tillverkare Produktnummer:

UJ3C120150K3S

Product Overview

Tillverkare:

Qorvo

DiGi Electronics Delenummer:

UJ3C120150K3S-DG

Beskrivning:

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 18.4A (Tc) 166.7W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventarier:

501 Pcs Ny Original I Lager
12930652
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

UJ3C120150K3S Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Qorvo
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
12V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 10mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 15 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
738 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
166.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
UJ3C120150

Datablad och dokument

Datablad
UJ3C120150K3S
Datasheets
UJ3C120150K3S
HTML-Datasheet
UJ3C120150K3S-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
2312-UJ3C120150K3S

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
unitedsic

UJ3C120040K3S

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3

unitedsic

UF3SC120009K4S

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

unitedsic

UF3C120080K4S

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4

unitedsic

UF3C120040K4S

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4