TP65H070LDG-TR
Tillverkare Produktnummer:

TP65H070LDG-TR

Product Overview

Tillverkare:

Transphorm

DiGi Electronics Delenummer:

TP65H070LDG-TR-DG

Beskrivning:

650 V 25 A GAN FET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Inventarier:

1651 Pcs Ny Original I Lager
13001158
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TP65H070LDG-TR Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Transphorm
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TP65H070L
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
96W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
3-PQFN (8x8)
Paket / Fodral
3-PowerDFN

Datablad och dokument

Datablad
TP65H070L Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
500
Andra namn
1707-TP65H070LDG-TR
1707-TP65H070LDG-TRDKR
1707-TP65H070LDG-TRCT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIRS5800DP-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

vishay-siliconix

SUM70042M-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P

vishay-siliconix

SI1480BDH-T1-GE3

N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70