Tillverkare Produktnummer:
TPN7R006PL,L1Q
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TPN7R006PL,L1Q-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 54A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventarier:
5682 Pcs Ny Original I Lager
12920955
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPN7R006PL,L1Q Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 200µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1875 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
630mW (Ta), 75W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
TPN7R006
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
264-TPN7R006PLL1QCT
264-TPN7R006PLL1QTR
TPN7R006PL,L1Q(M
264-TPN7R006PLL1QDKR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPN2R903PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
TPN7R504PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
TPWR6003PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
