Tillverkare Produktnummer:
TPN11006NL,LQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TPN11006NL,LQ-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventarier:
10188 Pcs Ny Original I Lager
12891605
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPN11006NL,LQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 200µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
TPN11006
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
TPN11006NLLQDKR
TPN11006NLLQTR
TPN11006NL,LQ(S
TPN11006NLLQCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2SK4017(Q)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
DMN3026LVTQ-7
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
DMN3016LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
