Tillverkare Produktnummer:
TPH7R506NH,L1Q
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TPH7R506NH,L1Q-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 22A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventarier:
26395 Pcs Ny Original I Lager
12890495
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPH7R506NH,L1Q Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 300µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.6W (Ta), 45W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
TPH7R506
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
TPH7R506NH,L1Q(M
TPH7R506NHL1QDKR
TPH7R506NHL1QTR
TPH7R506NHL1QCT
TPH7R506NHL1Q
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM6H19NU,LF
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
TPH7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
TPH4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
