Tillverkare Produktnummer:
TPH3R70APL1,LQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TPH3R70APL1,LQ-DG
Beskrivning:
150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventarier:
9377 Pcs Ny Original I Lager
12927096
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPH3R70APL1,LQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6300 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
210W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOP Advance (5x5.75)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
TPH3R70
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
264-TPH3R70APL1,LQCT
264-TPH3R70APL1LQCT
TPH3R70APL1,LQ(M
264-TPH3R70APL1,LQTR
264-TPH3R70APL1,LQDKR-DG
264-TPH3R70APL1LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQCT-DG
264-TPH3R70APL1,LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQTR-DG
264-TPH3R70APL1LQTR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
JANTX2N6804
MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA
NDD60N360U1T4G
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
AOD3N50
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252