Tillverkare Produktnummer:
TPCF8102(TE85L,F,M
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TPCF8102(TE85L,F,M-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventarier:
12891019
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPCF8102(TE85L,F,M Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
U-MOSIII
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1550 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
700mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
VS-8 (2.9x1.5)
Paket / Fodral
8-SMD, Flat Lead
Grundläggande produktnummer
TPCF8102
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK12J60U(F)
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
TK14C65W5,S1Q
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
TK14E65W5,S1X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
