Tillverkare Produktnummer:
TPCC8105,L1Q(CM
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TPCC8105,L1Q(CM-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventarier:
12942880
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TPCC8105,L1Q(CM Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
U-MOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fodral
8-VDFN Exposed Pad
Grundläggande produktnummer
TPCC8105
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
264-TPCC8105L1Q(CMTR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TPCC8105,L1Q
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5000
DEL NUMMER
TPCC8105,L1Q-DG
ENHETSPRIS
0.24
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFH8316TRPBF-IR
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
FCH041N65F
N-CHANNEL, MOSFET
IRLU3802PBF
HEXFET POWER MOSFET
