TK8Q65W,S1Q

Tillverkare Produktnummer:

TK8Q65W,S1Q

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

TK8Q65W,S1Q-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 650 V 7.8A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-Pak

Inventarier:

5 Pcs Ny Original I Lager

12891630

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

TK8Q65W,S1Q Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Förpackning

Tube

Serie

DTMOSIV

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

650 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

7.8A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

670mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 300µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

16 nC @ 10 V

Vgs (max)

±30V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

570 pF @ 300 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

80W (Tc)

Drifttemperatur

150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

I-PAK

Paket / Fodral

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Grundläggande produktnummer

TK8Q65

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

75

Andra namn

TK8Q65WS1Q

TK8Q65W,S1Q(S

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

diodes

DMN3033LSN-7

MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

diodes

BSS138TA

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

diodes

DMN3020LK3-13

MOSFET N-CH 30V 11.3A TO252-3

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K15F,LF

MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI