Tillverkare Produktnummer:
TK7R7P10PL,RQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK7R7P10PL,RQ-DG
Beskrivning:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventarier:
2099 Pcs Ny Original I Lager
12920865
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK7R7P10PL,RQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
93W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
TK7R7P10
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
264-TK7R7P10PLRQCT
264-TK7R7P10PLRQTR
264-TK7R7P10PLRQDKR
TK7R7P10PL,RQ(S2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK4K1A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK2K2A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK110E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
