Tillverkare Produktnummer:
TK650A60F,S4X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK650A60F,S4X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
98 Pcs Ny Original I Lager
12891405
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK650A60F,S4X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSIX
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
650mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.16mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK650A60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK650A60FS4X(S
TK650A60F,S4X(S
TK650A60FS4X
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK13A55DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
TK16A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
TK9A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
