Tillverkare Produktnummer:
TK60S10N1L,LXHQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK60S10N1L,LXHQ-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 60A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventarier:
1997 Pcs Ny Original I Lager
12976169
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK60S10N1L,LXHQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.11mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4320 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK+
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
TK60S10
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
TK60S10N1L,LXHQ(O
264-TK60S10N1LLXHQDKR
264-TK60S10N1LLXHQTR
264-TK60S10N1LLXHQCT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTP60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
AON6570
MOSFET N-CH 5X6 DFN
