Tillverkare Produktnummer:
TK49N65W,S1F
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK49N65W,S1F-DG
Beskrivning:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 49.2A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Inventarier:
56 Pcs Ny Original I Lager
12920911
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK49N65W,S1F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
49.2A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
55mOhm @ 24.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
400W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
TK49N65
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
264-TK49N65WS1F
TK49N65W,S1F(S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK3R2A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK4R1A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK7R4A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
