Tillverkare Produktnummer:
TK46A08N1,S4X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK46A08N1,S4X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 46A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
8 Pcs Ny Original I Lager
12890851
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK46A08N1,S4X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK46A08
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
264-TK46A08N1,S4X
TK46A08N1,S4X(S
TK46A08N1,S4X-DG
TK46A08N1S4X
TK46A08N1S4X-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK56A12N1,S4X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
53
DEL NUMMER
TK56A12N1,S4X-DG
ENHETSPRIS
0.78
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK6A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
TK31V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
SSM3J129TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
