Tillverkare Produktnummer:
TK40A06N1,S4X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK40A06N1,S4X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
480 Pcs Ny Original I Lager
12890373
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK40A06N1,S4X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
10.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 300µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK40A06
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK40A06N1,S4X(S
TK40A06N1S4X
TK40A06N1,S4X-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPN8R903NL,LQ
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
TK35E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 55A TO220
TPC8021-H(TE12LQ,M
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
