Tillverkare Produktnummer:
TK3A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK3A65D(STA4,Q,M)-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
47 Pcs Ny Original I Lager
12890339
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK3A65D(STA4,Q,M) Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
π-MOSVII
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK3A65
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFIBC30GPBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1568
DEL NUMMER
IRFIBC30GPBF-DG
ENHETSPRIS
1.22
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
TPCA8021-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
