Tillverkare Produktnummer:
TK3A60DA(Q,M)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK3A60DA(Q,M)-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
1 Pcs Ny Original I Lager
12890606
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK3A60DA(Q,M) Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
π-MOSVII
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK3A60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK3A60DA(Q)
TK3A60DA(QM)
TK3A60DAQM
TK3A60DA(Q)-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STF6N62K3
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
963
DEL NUMMER
STF6N62K3-DG
ENHETSPRIS
0.83
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
47
DEL NUMMER
TK3A60DA(STA4,Q,M)-DG
ENHETSPRIS
0.40
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
