Tillverkare Produktnummer:
TK39J60W5,S1VQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK39J60W5,S1VQ-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventarier:
25 Pcs Ny Original I Lager
12890722
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK39J60W5,S1VQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
270W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P(N)
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
TK39J60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
TK39J60W5S1VQ
TK39J60W5,S1VQ(O
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
