Tillverkare Produktnummer:
TK35N65W,S1F
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK35N65W,S1F-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventarier:
15 Pcs Ny Original I Lager
12890304
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK35N65W,S1F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
270W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
TK35N65
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-DG
TK35N65WS1F
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFX80N60P3
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3
DEL NUMMER
IXFX80N60P3-DG
ENHETSPRIS
11.27
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFX64N60P3
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1060
DEL NUMMER
IXFX64N60P3-DG
ENHETSPRIS
8.28
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPWR8503NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TPC6011(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD