Tillverkare Produktnummer:
TK34E10N1,S1X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK34E10N1,S1X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
5 Pcs Ny Original I Lager
12889476
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK34E10N1,S1X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
103W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
TK34E10
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPP100N08N3GXKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
587
DEL NUMMER
IPP100N08N3GXKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.00
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK20V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
TK16G60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
TK8A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
