TK32A12N1,S4X
Tillverkare Produktnummer:

TK32A12N1,S4X

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

TK32A12N1,S4X-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 120 V 32A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventarier:

100 Pcs Ny Original I Lager
12891193
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TK32A12N1,S4X Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
120 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 60 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK32A12

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
TK32A12N1S4X
TK32A12N1,S4X(S
TK32A12N1,S4X-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2962(T6CANO,F,M

MOSFET N-CH TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14A65W5,S5X

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK42A12N1,S4X

MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J213FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6