Tillverkare Produktnummer:
TK32A12N1,S4X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK32A12N1,S4X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 120 V 32A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
100 Pcs Ny Original I Lager
12891193
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK32A12N1,S4X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
120 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 60 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK32A12
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK32A12N1S4X
TK32A12N1,S4X(S
TK32A12N1,S4X-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2SK2962(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK14A65W5,S5X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
TK42A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
