Tillverkare Produktnummer:
TK31A60W,S4VX
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK31A60W,S4VX-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
47 Pcs Ny Original I Lager
12890569
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK31A60W,S4VX Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK31A60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK31A60W,S4VX(M
TK31A60WS4VX-DG
264-TK31A60W,S4VX
TK31A60WS4VX
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STF40N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1205
DEL NUMMER
STF40N60M2-DG
ENHETSPRIS
2.95
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IPA65R095C7XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
384
DEL NUMMER
IPA65R095C7XKSA1-DG
ENHETSPRIS
2.62
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPCA8028-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOP
TPCP8005-H(TE85L,F
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
TK3A65DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS