Tillverkare Produktnummer:
TK28N65W,S1F
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK28N65W,S1F-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 27.6A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Inventarier:
30 Pcs Ny Original I Lager
12889281
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK28N65W,S1F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
110mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.6mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
230W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
TK28N65
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
TK28N65W,S1F(S
TK28N65WS1F
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM3K347R,LF
MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
TK22E10N1,S1X
MOSFET N CH 100V 52A TO220
2SK3313(Q)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
