Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
TK1K9A60F,S4X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK1K9A60F,S4X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
Förfrågan Online
12891425
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK1K9A60F,S4X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSIX
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 400µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK1K9A60
Datablad och dokument
Datablad
TK1K9A60F
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK1K9A60FS4X(S
TK1K9A60F,S4X(S
TK1K9A60FS4X
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP5NK80ZFP
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
943
DEL NUMMER
STP5NK80ZFP-DG
ENHETSPRIS
1.03
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FCPF2250N80Z
Tillverkare
Fairchild Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
360
DEL NUMMER
FCPF2250N80Z-DG
ENHETSPRIS
1.39
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPCC8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
TK16E60W5,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
HN4K03JUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USV