Tillverkare Produktnummer:
TK190E65Z,S1X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK190E65Z,S1X-DG
Beskrivning:
650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 15A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
121 Pcs Ny Original I Lager
12988147
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK190E65Z,S1X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 610µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
130W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
264-TK190E65ZS1X
264-TK190E65Z,S1X
264-TK190E65Z,S1X-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI7454FDP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
SIHK045N60EF-T1GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
G400P06S
MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
