Tillverkare Produktnummer:
TK16J60W,S1VE
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK16J60W,S1VE-DG
Beskrivning:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventarier:
44 Pcs Ny Original I Lager
12966139
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK16J60W,S1VE Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
130W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P(N)
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
TK16J60
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
TK16J60W,S1VE(S
264-TK16J60WS1VE
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SISHA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
SQD100N04-3M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA