Tillverkare Produktnummer:
TK14N65W,S1F
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK14N65W,S1F-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Inventarier:
12891590
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK14N65W,S1F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
130W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
TK14N65
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
TK14N65WS1F
TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTH30N60P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
648
DEL NUMMER
IXTH30N60P-DG
ENHETSPRIS
5.55
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STW18N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
476
DEL NUMMER
STW18N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.26
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM6J503NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
TPCA8A01-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP
TK65S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
