Tillverkare Produktnummer:
TK12J60W,S1VE(S
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK12J60W,S1VE(S-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventarier:
12953712
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK12J60W,S1VE(S Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
110W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P(N)
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
TK12J60
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
264-TK12J60WS1VE(S
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFBC40PBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
IRFB9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
IPC65SR048CFDAE8206X2SA1
MOSFET N-CH
