Tillverkare Produktnummer:
TK12E80W,S1X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK12E80W,S1X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
12949829
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK12E80W,S1X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 570µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
165W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
TK12E80
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK12E80WS1X
TK12E80W,S1X(S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP13N80K5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
312
DEL NUMMER
STP13N80K5-DG
ENHETSPRIS
1.60
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK62J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
DMPH6250SQ-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
TSM4N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
