TK12A60D(STA4,Q,M)
Tillverkare Produktnummer:

TK12A60D(STA4,Q,M)

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

TK12A60D(STA4,Q,M)-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventarier:

54 Pcs Ny Original I Lager
12889746
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TK12A60D(STA4,Q,M) Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
π-MOSVII
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK12A60

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K504NU,LF

MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB

toshiba-semiconductor-and-storage

TK31J60W5,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

toshiba-semiconductor-and-storage

TK25E60X5,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J215FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 3.4A ES6