Tillverkare Produktnummer:
TK12A60D(STA4,Q,M)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK12A60D(STA4,Q,M)-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
54 Pcs Ny Original I Lager
12889746
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK12A60D(STA4,Q,M) Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
π-MOSVII
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK12A60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM6K504NU,LF
MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB
TK31J60W5,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
TK25E60X5,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
