Tillverkare Produktnummer:
TK10V60W,LVQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK10V60W,LVQ-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventarier:
12890192
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK10V60W,LVQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
88.3W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
4-DFN-EP (8x8)
Paket / Fodral
4-VSFN Exposed Pad
Grundläggande produktnummer
TK10V60
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
TK10V60WLVQTR
TK10V60WLVQCT
TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM3K59CTB,L3F
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
SSM3J117TU,LF
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
