Tillverkare Produktnummer:
TK090Z65Z,S1F
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK090Z65Z,S1F-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 30A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247-4L(T)
Inventarier:
25 Pcs Ny Original I Lager
12976036
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK090Z65Z,S1F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
90mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.27mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2780 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
230W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4L(T)
Paket / Fodral
TO-247-4
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
264-TK090Z65Z,S1F-DG
Q13998932
264-TK090Z65Z,S1F
264-TK090Z65ZS1F
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
SQJ140ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
