Tillverkare Produktnummer:
SSM6N16FUTE85LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM6N16FUTE85LF-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
Inventarier:
3590 Pcs Ny Original I Lager
12890988
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM6N16FUTE85LF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100mA
rds på (max) @ id, vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9.3pF @ 3V
Effekt - Max
200mW
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
US6
Grundläggande produktnummer
SSM6N16
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SSM6N16FU(TE85L,F)
SSM6N16FUTE85LFTR
SSM6N16FUTE85LFDKR
SSM6N16FUTE85LFCT
SSM6L09FU(TE85LF)
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM6N48FU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6P41FE(TE85L,F)
MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
TPC8212-H(TE12LQ,M
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP