Tillverkare Produktnummer:
SSM6K809R,LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM6K809R,LF-DG
Beskrivning:
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventarier:
5118 Pcs Ny Original I Lager
12989970
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM6K809R,LF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
36mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-TSOP-F
Paket / Fodral
6-SMD, Flat Leads
Grundläggande produktnummer
SSM6K809
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
264-SSM6K809R,LFTR
264-SSM6K809R,LFDKR
264-SSM6K809R,LFCT
264-SSM6K809RLFTR-DG
264-SSM6K809RLFTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK110E65Z,S1X
650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
NTMT150N65S3HF
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTH4L020N090SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
