Tillverkare Produktnummer:
SSM6J512NU,LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM6J512NU,LF-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventarier:
30341 Pcs Ny Original I Lager
12891255
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM6J512NU,LF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
12 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 8V
rds på (max) @ id, vgs
16.2mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 6 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.25W (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-UDFNB (2x2)
Paket / Fodral
6-WDFN Exposed Pad
Grundläggande produktnummer
SSM6J512
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SSM6J512NU,LF(T
SSM6J512NULFCT
SSM6J512NULFTR
SSM6J512NULFDKR
SSM6J512NU,LF(B
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPW4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
TPC8133,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
TPCC8006-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
