Tillverkare Produktnummer:
SSM3J325F,LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM3J325F,LF-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventarier:
17726 Pcs Ny Original I Lager
12891149
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM3J325F,LF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
600mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
S-Mini
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
SSM3J325
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SSM3J325FLFTR
SSM3J325FLFCT
SSM3J325F,LF(T
SSM3J325F,LF(B
SSM3J325FLF
SSM3J325FLFDKR
SSM3J325F,LF(A
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPC8132,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
TK58E06N1,S1X
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV