Tillverkare Produktnummer:
RN46A1(TE85L,F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN46A1(TE85L,F)-DG
Beskrivning:
PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventarier:
13275888
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN46A1(TE85L,F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Typ av transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
22kOhms, 10kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
22kOhms, 10kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
500nA
Frekvens - Övergång
200MHz, 250MHz
Effekt - Max
300mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-74, SOT-457
Paket för leverantörsenhet
SM6
Grundläggande produktnummer
RN46A1
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
264-RN46A1(TE85LF)DKR
264-RN46A1(TE85LF)TR
264-RN46A1(TE85LF)CT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0075
Alternativa modeller
DELNUMMER
RN4606(TE85L,F)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3939
DEL NUMMER
RN4606(TE85L,F)-DG
ENHETSPRIS
0.04
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1707JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
RN4988(TE85L,F)
NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
RN1710JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
