RN2969FE(TE85L,F)
Tillverkare Produktnummer:

RN2969FE(TE85L,F)

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

RN2969FE(TE85L,F)-DG

Beskrivning:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventarier:

12889941
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RN2969FE(TE85L,F) Tekniska specifikationer

Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
47kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
22kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
200MHz
Effekt - Max
100mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-563, SOT-666
Paket för leverantörsenhet
ES6
Grundläggande produktnummer
RN2969

Ytterligare information

Standard-paket
4,000
Andra namn
RN2969FE(TE85LF)TR
RN2969FE(TE85LF)DKR
RN2969FE(TE85LF)CT

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4911(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4911,LF(CT

PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2902,LF(CT

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2714,LF

PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM