Tillverkare Produktnummer:
RN2910(T5L,F,T)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN2910(T5L,F,T)-DG
Beskrivning:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventarier:
12891036
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN2910(T5L,F,T) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
4.7kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
-
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
200MHz
Effekt - Max
200mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
US6
Grundläggande produktnummer
RN2910
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN2910(T5LFT)DKR
RN2910(T5LFT)CT
RN2910(T5LFT)TR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN4987,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4602TE85LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2906,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6