Tillverkare Produktnummer:
RN2707JE(TE85L,F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN2707JE(TE85L,F)-DG
Beskrivning:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventarier:
1645 Pcs Ny Original I Lager
12889354
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN2707JE(TE85L,F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
10kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
47kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
200MHz
Effekt - Max
100mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-553
Paket för leverantörsenhet
ESV
Grundläggande produktnummer
RN2707
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
RN2707JE(TE85LF)DKR
RN2707JE(TE85LF)TR
RN2707JE(TE85LF)CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN4988(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1702JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1971FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6